اثر تابش پرتو هاي گاما بر نامتقارني امپدانس مغناطيسي بزرگ آلياژ آمورف Co68.15Fe4.35Si12.5B15

تغييرات بزرگ امپدانس الكتريكي رساناهاي مغناطيسي در حضور ميدان مغناطيسي، امپدانس مغناطيسي بزرگ (GMI) و وابستگي آن به جهت ميدان مغناطيسي، اثر نامتقارني امپدانس مغناطيسي(AGMI) ناميده مي‌شود. ميزان حساسيت به مقدار و جهت ميدان مغناطيسي اعمالي و همچنين ميزان خطي بودن GMI از جمله پارامترهاي اساسي در زمينه استفاده از كميت مذكور در توسعه‌ي حسگرهاي مغناطيسي هستند. استفاده از شرايط بازپخت مناسب ضمن كاهش تنش هاي داخلي ضمن ساخت، ايجاد نظم بلورين، و القاي ناهمسانگردي مغناطيسي، مي تواند بهينه پاسخ GMI را به سادگي قابل كنترل كند. در اين پژوهش اثر مدت زمان تابش دهي با پرتوهاي گاماي حاصل از دو چشمه Co60 و Cs137 بر نامتقارني امپدانس مغناطيسي آلياژ آمورف Co68.15Fe4.35Si12.5B15 مورد مطالعه قرار گرفت. بهينه زمان بهبود امپدانس مغناطيسي براي چشمه‌ي Co60 به مدت 30 ساعت و چشمه‌ي Cs137 به مدت 24 ساعت بدست آمد. نقش پراش پرتوx حاصل از نمونه نشان دهنده خروج نمونه‌ها از حالت آمورف و تشكيل بلورك‌ها است. اثرات ناشي از پرتوهاي چشمه Cs137 نمونه را از نظر مغناطيسي نرمتر كرده و پاسخ نمونه را به ميدان‌هاي مغناطيسي حول ميدان ناهمسانگردي بويژه در نمونه بازپختي در 24 ساعت افزايش قابل ملاحظه‌اي داده كه در نتيجه اين نمونه را نسبت به ديگر نمونه‌ها براي كاربرد حسگري مناسب‌تر گردانيده است.