نقش گرتينگ وتنظيم الكترو اپتيكي سوييچ هاي نوري با ولتاژدهي به لايه گرافن در افزايش پهناي باند

ﺟﻬﺖ ﺑﻬﺒﻮد ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ در ﺳﻮﺋﯿﭻ ﻫﺎي اﻟﮑﺘﺮواﭘﺘﯿﮑﯽ، ﻧﻘﺶ ﮔﺮﺗﯿﻨﮓ ﻣﻮرد ارزﯾﺎﺑﯽ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ. ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي ﻣﺒﺘﻨﯽ ﺑﺮ ﯾﮏ ﻣﯿﮑﺮوﺣﻠﻘﻪ و رزوﻧﺎﺗﻮر ﮔﺮاﻓﻨﯽ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ. ﺗﻨﻈﯿﻢ و ﮐﻨﺘﺮل ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﮐﻨﺘﺮل ﻫﺪاﯾﺖ ﺳﻄﺤﯽ ﮔﺮاﻓﻦ ﺻﻮرت ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ. ﻣﺪل ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روش ﺣﻞ ﻋﺪدي ﻣﻮرد ارزﯾﺎﺑﯽ دﻗﯿﻖ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ. ﺑﺎ ﮐﻨﺘﺮل ﺗﺰوﯾﺞ ﺑﯿﻦ ﻣﺪﻫﺎي ﮐﺎواك از ﻃﺮﯾﻖ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻫﻨﺪﺳﯽ و اﻋﻤﺎل ﭘﺘﺎﻧﺴﯿﻞ ﺷﯿﻤﯿﺎﯾﯽ ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺣﺎﺻﻞ ﺷﺪه از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه اﺳﺖ. ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﮐﻪ ﻧﺘﺎﯾﺞ ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ، از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﯿﻢ در ﺳﻮﺋﯿﭻ ﻫﺎي ﺗﻨﻈﯿﻢ ﭘﺬﯾﺮ ﭘﻬﻦ ﺑﺎﻧﺪ اﺳﺘﻔﺎده ﮐﺮد. ﺑﺎ درﻧﻈﺮﮔﺮﻓﺘﻦ ﮐﻨﺘﺮل ﻫﺪاﯾﺖ ﺳﻄﺤﯽ ﮔﺮاﻓﻦ از ﻃﺮﯾﻖ ﭘﺘﺎﻧﺴﯿﻞ ﺷﯿﻤﯿﺎﯾﯽ ﺑﯿﻦ 0,4 ﺗﺎ 0,6 اﻟﮑﺘﺮون وﻟﺖ ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺑﻪ اﻧﺪازه 1,6 ﺑﺮاﺑﺮ ﮐﺎرﻫﺎي ﻗﺒﻞ ﯾﻌﻨﯽ 8 ﺗﺮاﻫﺮﺗﺰ ﻗﺎﺑﻞ دﺳﺘﯿﺎﺑﯽ ﻫﺴﺖ. از ﻃﺮﻓﯽ ﺑﺎ ﮐﻨﺘﺮل ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪ ﻫﺎي ﮔﺮاﻓﻦ ﻧﺸﺎن داده ﻣﯽ ﺷﻮد ﮐﻪ ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺑﺮاي ﮔﺮاﻓﻦ ﺗﮏ ﻻﯾﻪ اﻣﮑﺎن ﭘﺬﯾﺮ اﺳﺖ. در ﻧﻬﺎﯾﺖ ﺟﻬﺖ دﺳﺘﯿﺎﺑﯽ ﺑﻪ ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي اﺛﺮ ﮔﺮﺗﯿﻨﮓ ﺑﺮرﺳﯽ ﺷﺪ. ﺑﺎ درﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ ﭘﺘﺎﻧﺴﯿﻞ ﺷﯿﻤﯿﺎﯾﯽ 0,4 اﻟﮑﺘﺮون وﻟﺖ ﺑﺎﻻﺗﺮﯾﻦ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﯾﻌﻨﯽ 10 ﺗﺮاﻫﺮﺗﺰ ﺑﺮاي ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي ﺑﺪﺳﺖ ﺧﻮاﻫﺪ آﻣﺪ.