خواص الكتروني، نوري و مغناطيسي تك لايه موليبدن دي سولفيد در حضور نقص‌هاي نقطه‌اي با استفاده از اصول اوليه

اين پژوهش به مطالعه در خصوص نقص هاي تهي جاي موليبدن دي سولفيد تك لايه بر پايه اصول اوليه مي پردازد. روش محاسبات اصول اوليه مبتني بر تئوري تابعي چگالي(DFT) به مطالعه و بررسي ساختار الكتروني اتم ها، مولكول ها و جامدات مي پردازد و روش دقيق و هوشمندانه اي براي جايگزيني مسايل چندذره اي محسوب مي شود. ابرسلول در نظر گرفته شده در اين ساختار شامل 36 اتم مي باشد و از تقريب شيب تعميم يافته براي پتانسيل تبادلي-همبستگي استفاده شده است. موليبدن دي سولفيد تك لايه ذاتي داراي شكاف نوار مستقيم با انرژي1/82eV مي باشد. وجود نقص در اين ساختار منجر به تغييرات قابل توجهي در خواص الكترونيكي و مغناطيسي ماده مي گردد. نتايج نشان مي دهند حذف يك اتم موليبدن و يا حذف يك اتم موليبدن به همراه دو اتم گوگرد منجر به تغيير حالات اسپيني و مغناطيسي شدن ماده مي گردد. به علاوه، حذف يك و دو اتم گوگرد منجر به انرژي شكاف نواري كمتر از حالت ذاتي مي شود. با برداشتن يك اتم گوگرد اولين بيشينه قسمت موهومي تابع دي الكتريك در حوالي شكاف نوار رخ مي دهد. حذف دو اتم گوگرد و يا يك اتم موليبدن با يك اتم گوگرد نيز منجر به غيرمستقيم شدن شكاف نوار مي گردد. مطالعه عيوب ساختاري مي تواند فرصت هاي نويني را براي رهيافت در خصوص رشد و سنتز نانومواد فراهم سازد.