عنوان مقاله :
بررسي اثر روشهاي لايه نشاني لايه جاذب بر عملكرد سلولهاي خورشيدي پروسكايتي با هالوژن تركيبي بدون ماده انتقالدهنده حفره
عنوان به زبان ديگر :
The study of deposition schemes effect of absorbing layer on performance of hole transport material free halogen mixed perovskite solar cells
پديد آورندگان :
دوست حسيني، فاطمه دانشگاه يزد - دانشكده فيزيك - گروه اتمي و مولكولي , بهجت، عباس دانشگاه يزد - دانشكده فيزيك - گروه پژوهشي فوتونيك , محسني، حميدرضا دانشگاه ولي عصر رفسنجان - دانشكده فيزيك
كليدواژه :
پروسكايت , ريخت شناسي , نواقص سطح , مراكز بازتركيب بار , ديناميك انتقال بار
چكيده فارسي :
يكي از راههاي بهبود بازده و پايداري سلولهاي خورشيدي پروسكايتي، مهندسي سطحها و كنترل ريختشناسي لايه پروسكايت است كه بهشدت روي عملكرد فتوولتاييك سلول تأثير ميگذارد. يكي از اين راهها استفاده از روش سنتز و لايهنشاني مناسب براي دستيابي به لايه با كيفيت است. در اين كار، چهار روش بهينهشده (S1: روش دو مرحلهاي بر پايه محلول، S2: روش تكمرحلهاي با ضد حلال، S3: روش تكمرحلهاي بدون ضد حلال، و S4: روش تلفيقي محلول به كمك تبخيري) براي سنتز پروسكايت تركيبي CH3NH3PbI3-XClX بهكار برده شده است. از بررسي عملكرد سلولهاي ساختهشده، ديناميك انتقال بار و ريختشناسي سطح پروسكايت ميتوان نتيجه گرفت كه روش S4 موجب سنتز لايه پروسكايت فشرده و بدون نقص با پوشش سطح عالي است و بهترين عملكرد را در مقايسه با ساير روشها نشان ميدهد (با چگالي جريان mA/cm2 13/70 ، ولتاژ مدار بازVolt 1، فاكتور پرشدگي 0/63 و بازده 8/82 %). اما از نظر تجاريسازي و اقتصادي روش S3 به مواد و انرژي كمتري نياز دارد و مقرون بهصرفهتر است.
چكيده لاتين :
The quality of the perovskite film as an absorbing layer has a key role on photovoltaic performance of perovskite solar cells. One of the essential ways to control the perovskite crystal layer quality and morphology, is application of the suitable deposition method. In this work, we have used four optimised methods (i.e. S1: two step immersion, S2: one step with antisolvent, S3: one step without antisolvent and S4: vapor- assisted solution process) of fabricating perovskite absorbing layer of solar cells. The study of fabricated solar cells revealed that the S4 method leads to the dense and pin-hole-free and fully coverage layers of perovskite which present the best performance (PCE: 8.82%, JSC: 13.70 mA/cm2, VOC: 1 V and FF: 0.63). However, in commercialization and economical point of view, S3 method is suggested.