اثر تله‌هاي موجود در شكاف باند انرژي بر‌‌‌روي جريان درين در ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي

در اين مقاله، مطالعه اي دقيق از مكانيزم تونل زني به كمك تله ها در ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي ارائه شده است. اين پديده باعث توليد جريان نشتي بزرگي قبل از شروع فرايند تونل زني باند به باند مي شود و نقش كليدي در تعيين جريان حالت خاموش اين ترانزيستورها دارد. با اصلاح فرمول SRH نشان داده شده است كه در دماي اتاق براي ولتاژهاي كم تر از ولتاژ آستانه جريان تونل زني از طريق تله ها همواره غالب بوده و باعث تنزل مشخصه ي كليد زني ترانزيستور، كه توسط شيب زير آستانه سنجيده مي شود، مي گردد. اين نتايج براي ساختارهاي دو گيتي و GAA كه در آن ها تله ها بين ناحيه تونل زني سورسكانال قرار مي گيرند نيز قابل تعميم است. فرايند تونل زني از طريق تله ها وابستگي قوي به ميدان الكتريكي و دما دارد. در ساختار ترانزيستورهاي مورد بحث در اين مقاله از نيمه هادي هاي گروه سه و پنج جدول تناوبي استفاده شده است. هم چنين اثر متغيرهاي ساختاري مختلف بر ميزان جريان تونل زني از طريق تله ها در اين پژوهش مورد بررسي قرار گرفته است.