تأثير دماي بازپخت بر تحرك پذيري و مشخصه هاي الكتريكي گيت دي الكتريك NiO/PVC

در ترانزيستورهاي اثر ميداني ضخامت گيت دي‌الكتريك اكسيد سيليكون 1 تا 2 نانومتر است. بنابراين كاهش ضخامت گيت به 1 نانومتر براي توليدات آتي، سبب افزايش جريان تونلي و نشتي مي‌شود. يكي از گزينه‌هاي مطلوب به عنوان گيت دي‌الكتريك،  نانو كامپوزيت‌هاي هيبريدي هستند كه ثابت دي الكتريك بالا و گاف نواري پهني داشته و در تماس با زيرلايه يا بستر سيليكوني تعادل حرارتي دارند. در كار حاضر، نمونه‌هاي هيبريديNiO/PVC با غلظت‌هاي مختلف مادۀ آلي را به عنوان يك مادۀ ‌دي‌‌الكتريك مناسب به روش سل ژل سنتز كرده و تلاش كرديم به كمك تكنيك تجربي تحليل حرارتي و مشتق آن، كاهش وزن نمونه‌ها را در مقابل حرارت بررسي كنيم. براي اندازه‌گيري تحرك‌پذيري، ثابت دي‌الكتريك و رسانندگي نمونه‌هاي مزبور در دماهاي بازپخت مختلف با دستگاه A132GPS، از محاسبۀ انرژي فعال‌سازي در نمودار لگاريتمي رسانندگي برحسب عكس دما استفاده كرديم. نتايج به دست آمده نشان مي‌دهند كه نمونۀ ‌NiO/PVC:2 به جهت دارا بودن ثابت دي‌الكتريك بالاتر جريان نشتي كمتري دارد. رفتار همۀ ‌نمونه‌ها نسبت به افزايش دما تا دماهاي 400 كلوين تقريباً يكسان است. تفاوت ميان نمونه‌ها در دماهاي بالاتر بروز مي‌كند، به صورتي كه  نمونۀ NiO/PVC:2  در دماهاي بالاي 400 كلوين تحرك‌پذيري بالاتري دارند.