طراحي و شبيه سازي مدار جمع كننده پنج ارزشي جديد مبتني بر ترانزيستور نانو نوار گرافن

در اين مقاله طراحي و شبيه‌سازي مدارات پنج ارزشي مبتني بر نانونوارگرافن ارائه شده است. منطق پنج ارزشي بيان شده منطبق بر منطق گلويس ميباشد. براي شبيه‌سازي ترانزيستور نانو نوار گرافن از مدل سازگار با HSPICE و تكنولوژي 15 نانومتر استفاده شده است. بر اين اساس، ابتدا مدارات NAND و NOR پنج ارزشي پيشنهادي، طراحي و شبيه‌سازي شده‌اند. نتايج حاصله نشان مي‌دهند اين مدارها از نظر سرعت و توان مصرفي در مقايسه با مدارات همتاي CNTFET خود از بهبود چشمگيري برخوردار هستند. در ادامه، مدار جمعكننده به عنوان اصلي‌ترين بخش پردازنده‌هاي ديجيتالي در طراحي مدارات مجتمع، با منطق پنج ارزشي پيشنهاد گرديد. . پاسخ گذراي مدارات حاكي از دقيق بودن خروجي‌ها مي‌باشد. پارامترهايي نظير توان مصرفي، تاخير و حاصل ضرب توان در تاخير محاسبه گرديد. ارزيابي نتايج نشان مي‌دهد مدار جمع‌كننده پيشنهادي داراي حاصل ضرب تاخير در توان 179.3 فمتو ژول در ولتاژ تغذيه0.8 ولت و فركانس كاري100 مگا هرتز مي‌باشد.