بهبود نسبت جريان روشن به خاموش Ion/Ioff درترانزيستورهاي نانونوارگرافني نوع شاتكي

ترانزيستورهاي نانونوار گرافني نوع شاتكي (SBGNRFET)، علي‌رغم ويژگي‌هاي بارزي كه نسبت به ترانزيستورهاي متداول دارند، داراي جريان خاموش نسبتاً زياد و نسبت پايين مي‌باشند. در اين مقاله ساختار جديدي از ترانزيستور نانونوار گرافني نوع شاتكي ارائه شده كه در آن گيت ترانزيستور به دو قسمت تقسيم شده است. به گيتي كه در سمت درين قرار گرفته است، ولتاژ ثابت متصل شده و گيتي كه در سمت سورس قرار گرفته است، گيت اصلي ترانزيستور مي‌باشد. ساختار SBGNRFET ارائه‌شده با مشخصه‌هاي هندسي و فيزيكي و در باياس‌هاي متفاوت با استفاده از شبيه‌ساز عددي مبتني بر توابع گرين غير تعادلي شبيه‌سازي شده و كارايي افزاره مورد ارزيابي قرار گرفته است. نتايج شبيه‌سازي نشان‌دهنده بهبود نسبت Ion/Ioff تا 6.7 برابر در V 0.8= VDS مي‌باشد. در اين ولتاژ نسبت Ion/Ioff از 1.2 در ترانزيستور SBGNRFET معمولي به 8.01 در ترانزيستور جديد رسيده و جريان خاموش Ioff از µA 5 به µA 0.7 كاهش يافته است. همچنين در V 0.6= VDS، به عنوان ولتاژ تغذيه، نسبت Ion/Ioff از 3.97 به 15.8 و جريان خاموش Ioff از µA 0.63 به µA 0.16 رسيده است.