طراحي و تحليل مبدل آنالوگ به ديجيتال كم‌توان با استفاده از ترانزيستور نانولوله كربني

امروزه مبدل‌هاي آنالوگ به ديجيتال به عنوان جزء جدايي‌ناپذير از سيستم‌هاي بر روي تراشه به شمار مي‌آيند زيرا فاصله بين دنياي فيزيكي آنالوگ و دنياي منطقي ديجيتال را از بين مي‌برند. اين امر و تمايل روزافزون به استفاده از تجهيزات قابل حمل، سبب شده ملزومات طراحي اين مبدل‌ها مانند سرعت، توان مصرفي و سطح اشغالي بهبود يابند. راهكارها و روش‌هاي مختلفي جهت بهبود عملكرد مبدل‌ها ارائه شده كه روز به روز در حال پيشرفت مي‌باشند. با توجه به اهميت روزافزون مبدل‌ها، در اين مقاله يك ADC سريع و كم‌توان با استفاده از CNTFET طراحي شده و عملكرد آن با نمونه مشابه MOSFET با همان طول كانال مورد بررسي قرار گرفته و همچنين عملكرد مبدل طراحي‌شده با دو نوع كدگذار مختلف، ROM و Fat tree مورد مطالعه قرار گرفته است. در ادامه، نتايج شبيه‌سازي كه با بهره‌گيري از نرم‌افزار HSPICE در تغذيه 9/0 ولت به دست آمده ارائه گرديده است. نتايج شبيه‌سازي مبدل در فناوري CNTFET بهبود قابل توجهي در پارامترهاي توان و تأخير نسبت به طراحي مشابه در فناوري CMOS نشان مي‌دهد. توان مصرفي و تأخير مبدل مبتني بر نانولوله كربني با كدگذار نوع ROM به ترتيب 5/92% و 54% و با كدگذار Fat tree به ترتيب 93% و 72% نسبت به مبدل‌هاي مبتني بر ترانزيستورهاي CMOS بهبود يافته‌اند.