محاسبه تحليلي بيناب هسته‌هاي پس‌زده ناشي از برهم‌كنش كشسان نوترون‌هاي سريع با انرژي 0/1 تا 10 مگاالكترون‌ولت به‌منظور تعيين آسيب‌هاي جابه‌جايي در كربن و سيليكون

Calculation of the recoiled nuclei spectrum due to fast neutron elastic interactions in the energy range of 0.15 to 10 MeV for determining the lattice defect in Carbon and Silicon

در اين تحقيق آسيب‌هاي جابه‌جايي ناشي از نوترون‌هاي سريع با انرژي 0/15 تا 10 مگاالكترون‌ولت در كربن و سيليكون با استفاده از كد TRIM محاسبه شده است. در اين محدوده انرژي برهم‌كنش غالب، پراكندگي كشسان مي‌باشد. براي استفاده از اين كد اطلاعاتي مانند انرژي هسته‌ي پس‌زده‌‌شده، زاويه پراكندگي و عمقي كه در آن برهم‌كنش رخ داده، ضروري است. به‌دست آوردن انرژي و زاويه پراكندگي هسته‌هاي پس‌زده‌شده، مستلزم دراختيارداشتن بيناب هسته‌هاي پراكنده‌شده مي‌باشد. بيناب هسته‌هاي پس‌پراكنده‌شده كربن و سيليكون با استفاده از يك روش تحليلي براي ارتباط‌دادن توابع توزيع آماري مختلف ولي مرتبط، محاسبه شد. مقايسه داده‌هاي به‌دست آمده با نتايج تجربي صحت بيناب‌هاي محاسبه‌شده را تأييد مي‌كند. محاسبات نشان مي‌دهد كه آسيب‌هاي جابه‌جايي ايجادشده در كربن كمتر از ميزان آسيب‌هاي جابه‌جايي ايجادشده در سيليكون مي‌باشد كه ناشي از آستانه انرژي جابه‌جايي بالاتر كربن مي‌باشد.

In this work, the damage produced in Carbon and Silicon by fast neutrons in the energy range of 0.15 to 10 MeV was calculated using TRIM code. In this range of energy, the dominant interaction is the elastic scattering. The information about recoil, nuclei energy, scattering angle and the depth in which the interaction was occurred is necessary to run TRIM code. For calculating the energy and scattering angle of recoil nuclei, the spectrum of scattered nuclei should be known. The spectrum of scattered Silicon and Carbon was calculated by using an analytical method to relate the statistical distributions to each other. Comparison of the calculated scattered spectrum with experimental one confirmed the validity of the calculation method. Calculations revealed that the damage produced in silicon is higher than the one produced in the Carbon. This is because the displacement energy threshold in Carbon is higher than the Silicon. So, using of Carbon in neutron exposure is recommended.