بررسي كمي تاثير نانوتخلخل هاي سطحي سيليكون و دما بر چگالي جريان اتصال كوتاه و ولتاژ مدار باز در سلول هاي خورشيدي

A Quantitative Analysis for the Effect of Silicon Surface Nano-porous and Temperature on Short Circuit Current Density and Open Circuit Voltage in Silicon Solar Cells

در اين مقاله به بررسي رفتار دمايي چگالي جريان اتصال كوتاه (Jsc) و ولتاژ مدار باز (Voc) (در بازه دمايي °C 25-120) در دو نمونه سلول خورشيدي يكي با لايه داراي نانوتخلخل هاي سطحي سيليكون و ديگري بدون تخلخل پرداخته شد. نتيجه محاسبات حاكي از آن است كه تغييرات دمايي گاف نواري عامل اصلي در توجيه رفتار كاهشي ولتاژ مدار باز (در حدود mV/°C 2/5 ) و رفتار افزايشي جريان اتصال كوتاه (در حدود mV/°C 0/02 ) در اين نمونه ها به ترتيب ناشي از افزايش جريان اشباع معكوس ديودي، Js (T) و گسترش جذب طيف خورشيد در ناحيه فروسرخ مي باشد. همچنين بزرگتر بودن جريان اتصال كوتاه و ولتاژ مدار باز و افزايش بازده در قطعه متخلخل در مقايسه با نمونه بدون تخلخل ناشي از افت بازتابندگي سطحي در نمونه داراي نانوتخلخل هاي سطحي مي باشد. محاسبات نظري ما نشانگر افزايش مقاومت متوالي و كاهش ضريب پركنندگي قطعه متخلخل نسبت به نمونه عادي است كه مي تواند ناشي از ساختار هندسي اتصال اهمي و حضور ستون هاي سيليكوني در سطح قطعه، در نقش مانع براي حركت افقي حامل هاي نوري باشد.

No abstract