بررسي خواص ساختاري، الكتروني و ترابردي نانولوله‌هاي III-V با استفاده از تئوري تابعي چگالي

در اين مقاله خواص ساختاري، الكتروني و ترابردي نانولوله‌هاي زيگزاگ (0و 5) بورون نيترايد (BN)، گاليم آرسنايد (GaAs)، گاليم نيترايد (GaN)، گاليم فسفايد (GaP)، اينديوم نيترايد (InN) و اينديوم فسفايد (InP) با استفاده از تئوري تابعي چگالي (DFT) تركيب شده با فرماليزم تابع گرين غير تعادلي (NEGF) توسط نرم افزار SIESTA مورد مطالعه قرارگرفته شده است. ساختار باندي الكتروني، چگالي حالات (DOS)، گاف انرژي، مشخصه جريان ولتاژ (IV) و منحني ترابرد (dI/dV) اين ساختارها تحت شرايط باياس پائين مورد بررسي قرار گرفت، نتايج بدست آمده ماهيت نيمه‌هادي اين ساختارها را تأييد مينمايد. در بين اين ساختارها، نانولوله زيگزاگ (0و 5) گاليم فسفايد (GaP) باند گاف انرژي غير مستقيم را نشان داده است كه اين ساختار را مناسب براي بكارگيري در نمايشگرهاي رنگي مي‌سازد در عوض نانولوله زيگزاگ (0و 5) گاليم آرسنايد (GaAs) علاوه بر باند گاف انرژي كوچكتر و چگالي حالات بيشتر مشخصه مقاومت ديفرانسيلي منفي(NDR) از خود نشان داد بگونه‌اي كه مي‌تواند كانديداي مناسبي براي بكارگيري در قطعات اپتوالكترونيكي سرعت بالا، سوئيچ كننده‌هاي سرعت بالا و نوسانگرهاي سرعت بالا باشد.