بررسي جذب يك سويه فلوئور بر روي گرافن به روش ديناميك مولكولي

جذب فلوئور بر گرافن سبب تنظيم شكاف انرژي و در نتيجه گرافن آلائيده به فلوئور يكي از تركيباتي است كه موجب كاربردي شدن گرافن در صنايع الكترونيك مي‌شود. در اين مقاله نقش دما و غلظت اتم‌هاي فلوئور بر فرآيند جذب يك سويه صفحه گرافن و دو سويه آن بررسي شده است. نتايج اين مطالعه نشان مي‌دهند كه تعداد اتم‌هاي فلوئور كه جذب صفحه گرافن مي‌شوند با افزايش غلظت گاز فلوئور تا مقدار معيني افزايش مي‌يابند و سپس با افزايش بيشتر غلظت ثابت باقي ميمانند. همچنين با افزايش دما تا حدي كه ساختار گرافن مختل نشود، سبب افزايش تعداد پيوندهاي C-F مي‌شود. همچنين مشاهده شد كه چيدمان فلوئورهاي جذب شده چنان است كه از افزايش اختلال در توازن بين دو زير شبكه گرافن جلوگيري شود.