شبيه سازي و بررسي پارامترهاي موثر بر كاهش توان مصرفي در مدارهاي ضرب كننده با استفاده از فناوري ترانزيستورهاي CNT

Simulation and investigation of parameters affecting the reduction of power consumption in multiplication circuits using CNT transistor technology

در اين مقاله، به ارائه يك ضرب‌كننده آنالوگ چهار ربعي مد جريان جديد برپايه ترانزيستور هاي نانو لوله كربني مي‌پردازيم. مدارهاي مجذوركننده جريان كه اخيرا طراحي‌شده است و آينه جريان، كه در ولتاژ تغذيه پايين (1V) كار مي‌كنند، اجزاي اساسي در تحقق معادلات رياضي هستند. در اين پژوهش مدار ضرب‌كننده، با استفاده از فناوري CNTFET ،32 نانو متر طراحي مي‌شود و براي معتبر ساختن عملكرد مدار، ضرب‌كننده ارائه‌شده در شبيه‌ساز HSPICE شبيه‌سازي شده است. نتايج حاصل از شبيه‌سازي نشان مي دهد كه مدار قابليت عملكرد مطلوب را تا فركانس 2 گيگا هرتز ، مصرف توان ماكزيمم 3.7464µw و همچنين داراي THD 0.226043% مي باشد.

Analog multipliers are useful blocks used in implementing functions such as automatic control, modulation, detectors, adaptive filters, and neural networks. In this paper, we present a new four-quadratic analog multiplier based on carbon nanotube transistors. Newly designed current square circuits and a current mirror, all operating at low voltage (1V), are essential components in realizing mathematical equations. The multiplier circuit is designed using CNTFET technology, 32 nm, and the multiplier provided in the HSPICE simulator is simulated to validate the circuit performance. The simulation results showed that the circuit has the desired performance up to a frequency of 2 GHz and shows a maximum power consumption of 3.7464uw and also has a THD of 0.226043%.