عنوان مقاله :
محاسبة ابتدا به ساكن ويژگي هاي اپتيكي تركيب SnBi2Te4
عنوان به زبان ديگر :
Ab-initio Calculation of Optical Properties of the compound SnBi2Te4
پديد آورندگان :
صالحي، حمدالله دانشگاه شهيد چمران اهواز - دانشكدۀ علوم - گروه فيزيك، اهواز، ايران , ابراهيمي، ناصر دانشگاه شهيد چمران اهواز - دانشكدۀ علوم - گروه فيزيك، اهواز، ايران
كليدواژه :
عايق توپولوژي , نظريۀ تابعي , چگالي , گاف اپتيكي
چكيده فارسي :
در اين تحقيق ويژگي هاي اپتيكي از جمله تابع دي الكتريك، ضريب شكست، ضريب جذب وتابع اتلاف عايق توپولوژي 4Te2SnBi در چارچوب نظريۀ تابعي چگالي و با روش امواج تخت بهبود يافتۀ خطي با پتانسيل كامل با بستة نرم افزاري Wien2k محاسبه شده است.براي محاسبۀ پتانسيل تبادلي-همبستگي از تقريب هاي(Perdew-Burke-Ernezerhof) PBE و LDA (local density approximation)استفاده شده است. گاف اپتيكي در حدود 36/0 الكترون ولت و ضريب شكست استاتيكي برابر با 2/6 به دست آمده است. ضريب جذب داراي دو بيشينة اساسي در eV 46/2 و eV 36/7 است كه بيشينة دوم در محدودة پرتو فرابنفش قرار دارد و نشان ميدهد كه اين ماده ميتواند در زمينة ساخت قطعات مرتبط با پرتو فرابنفش مانند حسگر ها و آشكارسازها مورد توجه قرار گيرد. نتايج به دست آمده با ديگر داده هاي موجود سازگاري دارد.
چكيده لاتين :
In this research, optical properties such as dielectric function; Refractive index; Absorption coefficient
and electron energy loss spectrum of SnBi2Te4 topological insulator have been calculated by using of Full potential linear augmented plane waves (FP-LAPW) within the framework of density functional theory (DFT) implemented in Wien2k code. PBE and LDA approximations have been used to calculate the exchange-correlation potential. The optical gap and the static refractive index have been obtained about 0.35 eV and 6.2. The absorption coefficient has two main peaks in 2.46eV and 7.36 eV that the second maximum is in the range of UV range and predicts that this material can be used in the field of UV-related devices such as sensors and detectors. The results are consistent with other available data.
عنوان نشريه :
مهندسي متالورژي