ساختار باندي گرافن بورن نيتريد در چارچوب مدل تنگ بست واقعي

در اين مقاله با استفاده از يك مدل تنگ بست واقع گرايانه و دقيق، ساختار الكترونيكي تك لايه‌ گرافن رشد يافته بر بستر يك زير لايه‌ بورن نيتريد، مورد مطالعه قرار گرفته است. براي اين منظور با انجام محاسبات مبتني بر نظريه‌ تابعي چگالي، امكان رشد گرافن بر زير لايه‌ بورن نيتريد در يك شبكه‌ منطبق بر هم، مورد بررسي قرار گرفته است. ساختار الكترونيكي اين شبكه از برازش پارامترهاي تنگ بست تا همسايه‌ پنجم، با داده‌هاي تابعي چگالي محاسبه شده است. در اين شبكه ساختار الكترونيكي گرافن تا حدود زيادي حفظ شده است. نتايج نشان مي‌دهد، اثرات بين لايه‌اي نسبتاً ضعيف است. يك گاف كوچك حدود 0.2 الكترون ولت در اثر معادل نبودن جايگاه‌هاي كربني در ساختار گرافني ايجاد شده است كه مي‌توان با اعمال يك ولتاژ گيت از آن براي ايجاد ترانزيستورهاي اثر ميدان استفاده كرد.