بررسي خواص الكتروني، مغناطيسي و اپتيكي تركيبات تمام‌هويسلر V2ScX(X = Ga, In)

با استفاده از نظريه تابعي چگالي، خواص الكتروني، مغناطيسي و اپتيكي تركيبات تمام‌هويسلر V2ScX (X = Ga, In) مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج نشان مي‌دهند كه V2ScIn داراي گاف نيم‌فلزي به اندازه 0.45 الكترون‌ولت است و يك فرومغناطيس نيم‌فلز مي‌باشد كه خاصيت نيم‌فلزي خود را در بازه نسبتا بزرگي از ثابت شبكه حفظ مي‌كند. اين تركيب براي كاربردهاي اسپينترونيك مناسب است. تركيب V2ScGa رفتار فلزي از خود نشان مي‌دهد. اين تركيبات تمام‌هويسلر از رابطه اسليترپائولينگ پيروي مي‌كنند و داراي مغناطش كل صحيحي مي‌باشند. بعد از بررسي خواص اپتيكي اين نتيجه حاصل شد كه اين تركيبات مي‌توانند گزينه مناسبي براي استفاده به عنوان جاذب امواج باشند.