بررسي جريان سه بعدي جابجايي آزاد نانو‌سيال تحت تاثير ميدان مغناطيسي با استفاده از روش شبكه بولتزمن بر پايه مدل زمان آرامش چندگانه دوتايي

در اين مقاله اثر ميدان مغناطيسي بر روي جريان جابجايي طبيعي سه بعدي نانوسيال مس/آب داخل يك حفره مكعبي با استفاده از روش شبكه بولتزمن بر پايه مدل جديد زمان آرامش چندگانه دوتايي مورد بررسي قرار گرفت. به منظور اعمال مدل زمان آرامش چندگانه دوتايي شبكه D3Q19 براي حل معادله جريان و شبكه D3Q7 نيز براي حل ميدان دما استفاده شد و تاثير اعداد گراشف(Gr=1e3-1e5) و هارتمن (Ha=0-100) براي ميزان نسبت حجمي‌هاي نانوذره متفاوت (12%-0=φ) مورد بررسي قرار گرفت. نتايج براي صفحات و خطوط مختلف مكعب نشان داده شد و با توجه به دقت نتايج بدست آمده، روش عددي استفاده شده روشي مناسب براي حل جريان هاي پيچيده ارزيابي شد. همچنين با افزايش عدد هارتمن در حالت سيال بدون نانوذره مقدار انتقال حرارت كاهش يافت به‌طوري كه بيشترين مقدار كاهش عدد ناسلت با افزايش عدد هارتمن از صفر تا 100 برابر 71% براي عدد گراشف 1e4مشاهده شد. در صورتي كه با افزايش عدد گراشف و نسبت حجمي نانوذره ميزان انتقال حرارت براي تمام اعداد هارتمن افزايش يافت و بيشترين ميزان تاثير نانو ذره در عدد گراشف 1e4 و عدد هارتمن 50 مشاهده گرديد به طوري كه با افزايش 12% حجمي نانوذره عدد ناسلت به ميزان 43% افزايش يافت.