اثر تركيب بر پارامترهاي فلش زينتر سراميك وريستور بر پايه ZBS

فلش زينتر يكي از جديدترين فرايندهاي زينتر سراميك ها است كه به‌دليل سرعت بالاي زينتر و كاهش قابل توجه انرژي، اخيراً بسيار مورد توجه محققين قرار گرفته است. ويژگي مهم براي انجام موفقيت‌آميز فلش، داشتن رفتار نيم‌رسانايي با ضريب دمايي منفي (NTC) است. در اين پژوهش فرايند فلش زينتر سراميك وريستور بر پايه ZnO - Bi2O3 - Sb2O3 (ZBS) مورد بررسي قرار گرفته و اثر تغيير نسبت مولي تركيب و افزودن اكسيدكبالت (Co3O4) به عنوان عامل افزايش‌دهنده هدايت الكتريكي مطالعه شده است. شرايط بهينه فرايند فلش با اعمال مقادير مختلف ميدان الكتريكي و چگالي جريان تعيين شد كه نهايتاً ميدان الكتريكي 300V/cm و چگالي جريان 100mA/mm^2 بدست آمد. بررسي ساختاري و شناسايي فازهاي تشـكيل شـده به ترتيب به وسيلۀ ميكروسـكوپ الكترونـي روبشـي و پـراش پرتـوي ايكس انجام شده است. اندازه‌گيري مشخصات الكتريكي وريستور (ضريب غيرخطي، ولتاژ شكست و جريان نشتي) تحت ميدان الكتريكيDC صورت گرفت. چگالي نمونه داراي افزودني اكسيدكبالت 97 درصد چگالي تئوري شد. نتايج SEM حاكي از تشكيل ريزساختار وريستور با متوسط اندازه دانه 3 ميكرون مي‌باشد. با تعيين مشخصات الكتريكي، رفتار وريستوري مشاهده شد كه در آن ضريب غيرخطي 22، ولتاژ آستانه    450V/cm و چگالي جريان نشتي 50μA/mm^2 بود.