تحرك پذيري و ويژگي‌هاي ترموالكتريكي ديامان‌هاي نيمه هادي

در اين مقاله تحرك پذيري و خواص ترموالكتريكي ديامان‌هاي  ( Cl و F و C2X (X= H با استفاده از نظريۀ تابعي چگالي و بستۀ محاسباتي كوانتوم اسپرسو و بولتزراپ مطالعه مي شود. در تمامي ساختارهاي ( Cl و F و C2X (X=H تحرك پذيري حفره‌ها كوچك‌تر از تحرك پذيري الكترون ها است. اين امر ناشي از شكل ساختار نواري هر ساختار است. براي ساختارهاي  C2H، C2F و C2Cl با آلايش نوع p بيشينه ضريب سيبك به ترتيب برابر است با2201 ,µV/K 2733، 2811 و براي آلايش نوع n، بيشينه ضريب سيبك مواد فوق به ترتيب  2767-، 2696 - و 2269- µV/K است. در تمامي ساختارها پارامترهاي ترموالكتريكي از جمله رسانندگي الكتريكي، رسانندگي گرمايي الكتريكي و ضريب توان در مقادير مثبت پتانسيل شيميايي بيشينه هستند. در نتيجه اين مواد با آلايش نوع n مي‌توانند مواد ترموالكتريكي مناسب‌تري باشند. همچنين هر سه ساختار در بازۀ دمايي 200 -500 كلوين بيشينه ضريب توان را دارند‏.