اثر وارون اسپين هال و اثر سيبك اسپين در دي سولفيد تنگستن

در اين مقاله، وابستگي اثر پمپاژ اسپين به لايه اي از دي سولفيد تنگستن (WS2) با استفاده از اثر وارون اسپين هال (ISHE) بررسي شده است. حركت تقديمي بردار مغناطش، اثر پمپاژ اسپين در يك فيلم نارساناي فري مغناطيسي ايجاد مي كند. سپس جرياني از الكترون ها با اسپين قطبي شده به لايه ي NM از يك ماده غيرمغناطيسي، چون پلاتين (Pt)، تزريق مي شود. اين جريان اسپين با استفاده از روشISHE  به جريان الكتريكي تبديل مي شود. در كار حاضر، كارايي تزريق اسپين به دي سولفيد تنگستن (WS2) بررسي و دريافت شد كه با افزايش ضخامت فيلم، ولتاژ ISHE نيز افزايش مي‌يابد، سپس اين رابطه با نظريه مقايسه شد. در مرحله بعد، طول نفوذ اسپين و رسانايي مخلوط اسپين از تغيير ضريب ميرايي گيلبرت با ضخامت به دست آمد. با توجه به اطلاعات بدست آمده، بررسي هاي مشابهي در موادي چون؛ ايتريوم- آهن- گارنت يا آلياژ Mo1-xWxS2 انجام شده است. اگرچه در مورد دي سولفيد تنگستن بررسي ها صورت نگرفته است. لازم به يادآوري است كه مطالعاتي چون بررسي اثر جفت شدگي اسپين- مدار، بررسي پراكندگي ريمان مرتبه دوم و همچون آن در مورد دي سولفيد تنگستن انجام شده است و همچنان ادامه دارد. اميدواريم كار حاضر بتواند راهنماي مناسبي براي توسعه مطالعات بيشتر دراين زمينه باشد.