پتانسيل پاشندگي يك اتم حالت پايه در محيط ‌هاي مغناطوالكتريك اتلافي با پاسخ غير موضعي

به‌كمك روش اختلال، رابطه ي انرژي پتانسيل پاشندگي يك اتم الكتريكي و يا مغناطيسي حالت پايه در حضور مواد مغناطوالكتريك اتلافي را به محيط‌هاي غيرموضعي تعميم داده‌ايم. از آنجايي كه رابطه ي نهايي به هندسه ي سيستم وابسته است، مي‌توان نيروي كازيمير-پولدر را نيز در چنين سيستم‌هايي با محاسبة شيب انرژي پتانسيل به‌دست آورد. اگرچه رابطة پتانسيل به لحاظ شكل ظاهري كاملاً مشابه با رابطه ي متناظر در محيط‌ هاي موضعي مي‌باشد كه پيش‌تر به‌دست آمده است، اما به‌دليل تفاوت تانسور گرين محيط‌ هاي موضعي با محيط غيرموضعي و وابستگي رابطه ي نهايي پتانسيل پاشندگي به تانسور گرين محيط، نتايج كاملاً متفاوتي به‌دست مي‌آوريم.