شماره ركورد :
1328292
عنوان مقاله :
اصلاح سطح غشاي نانوصافشي بر پايه پلي‌اترسولفون با گرافن اكسيد كربوكسيل‌دارشده و پلي‌اتيلن‌ايمين
پديد آورندگان :
اسكندري ، مريم دانشگاه اراك - دانشكده فني و مهندسي , مقدسي ، عبدالرضا دانشگاه اراك - دانشكده فني و مهندسي , بنده‌علي ، سمانه دانشگاه اراك - دانشكده فني و مهندسي
از صفحه :
501
تا صفحه :
513
كليدواژه :
غشاي نانوصافشي , گرافن اكسيد , پلي‌اتر سولفون , تصفيه آب , اصلاح سطحي
چكيده فارسي :
فرضيه: در اين پژوهش، ابتدا نانوصفحه‌هاي گرافن‌ اكسيد كربوكسيل‌‌دارشده سنتز شدند. سپس، از نانوصفحه‌هاي سنتزشده براي اصلاح سطحي غشاهاي نانوصافشي بر پايه‌ پلي‌اترسولفون (PES) در تصفيه آب استفاده شد. روش ها: از غلظت‌هاي مختلفي از نانوصفحه‌هاي گرافن اكسيد كربوكسيل‌دارشده (c-GO) و پلي‌اتيلن‌ايمين (PEI) به‌عنوان مواد اصلاح‌كننده سطح براي تهيه غشاهاي نانوصافشي PES/PEI/c-GO استفاده شد. غشاهاي تهيه‌شده با آزمون طيف‌سنجي زيرقرمز تبديل فوريه (FTIR) و تصاوير ميكروسكوپي الكتروني پويشي (SEM)، تصاوير سه‌بعدي سطح (AFM) از سطح غشاها و طيف‌سنجي پراش پرتو X (EDX) بررسي شدند. مقدار تراوش‌پذيري و عملكرد جداسازي غشاهاي ساخته‌شده، با اندازه‌گيري زاويه تماس، جذب آب، شار آب خالص عبوري و مقدار پس‌زني نمك و فلز سنگين ارزيابي شد. يافته‌ها: آزمون FTIR تشكيل پيوندهاي مطلوب را در نانوصفحه‌هاي سنتزي گرافن اكسيد كربوكسيل‌دارشده و غشاهاي ساخته‌شده، نشان داد. اصلاح سطح غشا با مواد اصلاح‌كننده آب‌دوست موجب كاهش زبري سطح شد و زاويه تماس از °75 در غشاي خالص به‌ °36 در غشاي M1 داراي 0.001g  نانوصفحه‌هاي c-GO كاهش يافت. همچنين، جذب آب غشا افزايش يافت و غشاي M2 بيشترين مقدار درصد محتواي آب را از ميان ساير غشاها نشان داد. بيشترين مقدار شار آب خالص برابر  13.065L/m^2h براي غشاي ساخته‌شده M2 داراي g 0.01 نانوصفحه‌هاي c-GO به‌دست آمد. افزون بر اين، بيشترين مقدار پس‌زني سديم سولفات برابر %67.5 براي غشاي M3 داراي 0.1نانوصفحه‌هاي c-GO و بيشترين مقدار پس‌زني كلسيم نيترات %87.21 براي غشاي M1 داراي g 0.001 نانوصفحه c-GO گزارش شد. نتايج حاكي از بهبود خواص ضدگرفتگي غشاهاي اصلاح‌شده محتوي داراي نانوصفحه‌هاي گرافن اكسيد كربوكسيل‌دارشده در مقايسه با غشاي پايه است.
عنوان نشريه :
علوم و تكنولوژي پليمر
عنوان نشريه :
علوم و تكنولوژي پليمر
لينک به اين مدرک :
بازگشت