طراحي و شبيه‌سازي آنتن شيپوري ESIW صفحه H با بهره بالا و پهناي باند بهبوديافته

در اين مقاله با استفاده از شكاف تشعشعي، الگوي تابشي آنتن شيپوري SIW صفحه H با كاهش پهناي پرتو نيم‌توان در صفحه E بهبود يافته است. اين شكاف‌ها مي‌توانند علاوه بر حفظ ابعاد ساختار، تأثير بسزايي بر روي مشخصات آنتن داشته باشند. قرارگرفتن صفحه بازتابنده در فواصل مناسبي از دهانه و شكاف‌ها نيز منجر به بهبود سطح پرتوهاي فرعي و تشعشع آنتن در جهت معكوس مي‌شود. سپس براي بهبود تطبيق امپدانس و افزايش پهناي باند امپدانسي آنتن، دي‌الكتريك ساختار به طور كامل حذف گرديده و شكاف‌هاي غير تشعشعي در صفحه‌هاي بالا و پايين به آنتن اضافه مي‌شوند. حذف عايق باعث افزايش پهناي باند آنتن نسبت به پهناي باند آنتن معمولي شيپوري SIW شده و اضافه‌كردن شكاف‌هاي تشعشعي، بهره آنتن را نيز بهبود قابل ملاحظه‌اي مي‌دهد. نتايج حاصل از شبيه‌سازي نشان مي‌دهند كه آنتن پيشنهادي اين مقاله، محدوده فركانسي GHz 27.2 تا GHz 28.3 را پوشش داده و بهره آن نيز در اين بازه بين dBi 10.1 تا dBi 15.3 با بازده تشعشعي 98% تغيير مي‌كند. در انتها به منظور افزايش بهره آنتن، يك آرايه دوبعدي از آنتن پيشنهادي در صفحه H با ساختار تغذيه مناسب طراحي شده است.