تعيين شرايط ساخت پوشش مزوسيليس به روش خودآرايي القاشده با تبخير بر روي شيشه

در ميان اشكال مختلف مزوسيليس كه شامل نانو ذرات، پوشش‌ها و لايه‌هاي نازك، ساختارهاي هسته-پوسته، الياف‌‌ها و قطعات يك‌پارچه است، لايه‌هاي نازك مزوسيليس داراي اهميت و كاربرد زيادي در حوزه‌هاي مختلف نوري، الكترونيكي، انواع حسگرهاي الكتروشيميايي و ساير موارد هستند. به منظور بررسي فرآيند ساخت و تأثير آن بر خواص پوشش، در اين مطالعه، پوشش تك لايه مزوسيليس به روش خودآرايي القاشده با تبخير و با استفاده از هگزا دسيل تري آمونيوم برمايد به عنوان عامل فعال سطحي ساخته شد. پس از آماده‌سازي محلول پايدار و پيرسازي آن به مدت‌زمان 7 روز، لايه‌نشاني انجام و به منظور خروج عامل فعال سطحي، نمونه به مدت 4 ساعت در دماي 450 درجه سانتي‌گراد كلسينه شد. براي بررسي درستي شرايط ساخت، پايداري سل و فرآيند خروج عامل فعال سطحي مطالعه شد و پوشش ساخته‌شده  به كمك آزمون‌هاي پراش اشعه ايكس كوچك-زاويه و ميكروسكوپ الكتروني مورد مشخصه‌يابي قرار گرفت. نتايج آزمون‌ها حاكي از ايجاد يك پوشش پيوسته و بسيار صاف با ضخامت 500 نانومتر و داراي يك ساختار منظم با اندازه تخلخل حدود 3 نانومتر بود.