بررسي بهره‌وري سلول خورشيدي پروسكايتي با لايه‌ي فعال معدني RbGeBr3 و لايه‌هاي متفاوت جمع كننده الكترون و حفره

‌ امروزه سلول هاي خورشيدي پروسكايتي (PSCs)، در مقايسه با فناوري‌هاي فتوولتائيك موجود با سرعت قابل توجهي در حال پيشرفت است. دركار حاضر، تمركز اصلي بر بررسي بهره‌وري دو ساختار متفاوتPSCs  با لايه فعال پروسكايتي معدني است. محاسبات مبتني بر الگوي اپتوالكترونيك سلول خورشيدي و حل معادلات پيوستگي چگالي بار و جريان با روش عددي المان محدود است. به منظور بهينه‌سازي بهره‌وري، ضخامت‌هاي لايه‌ انتقال‌دهنده الكترون (ETL) و لايه فعال معدني  تغيير داده شده است. نتايج محاسبات شبيه‌سازي شده براي سلول‌ خورشيدي با ساختار اولFTO/ ITO/ / PEDOT:PSS/ Au،  بالاترين بازدهي11.37 % ، با جريان مدار كوتاه (mA/cm^2) 14.47 و ولتاژ مدار باز 0.96 ولت و براي سلول‌ خورشيدي با ساختار دوم FTO/ TiO2/ RbGeBr3/ Spiro-OMETAD/ Au ، بهره‌وري10.57% را نشان مي‌ دهد. در هر دو ساختار بيان شده، بالاترين بهره‌وري با در نظر گرفتن ضخامت‌ها براي لايه‌ انتقال‌دهنده الكترون 80 نانومتر و لايه فعال معدني 200 نانومتر است. نتايج اين مقاله مي‌تواند در طراحي سلول هاي خورشيدي نسل جديد مبتني بر لايه‌ هاي پروسكايتي معدني مفيد ‌باشد.