ارزيابي اثرحرارت،اغتشاش و نويز در تمام جمع كننده هاي مبتني بر روشGDI

در اين مقاله، توجه خود را به تمام جمع‌كننده‌هاي مبتني بر روش GDI محدود مي‌كنيم، مدارهايي كه معمولاً در مدارهاي پرسرعت استفاده مي‌شوند و بيشتر در معرض نويز هستند. تاكنون بررسي جامعي در مورد مصونيت در برابر نويز و تغيير دماي محيط تمام جمع‌كننده‌هاي مبتني بر روش GDI ارائه نشده و اكثر مقالات طرح پيشنهادي خود را با ساير تمام جمع‌كننده‌ها مقايسه كرده‌اند كه عمدتاً مبتني بر روش GDI نيستند. اين سلول‌هاي تمام جمع كننده با شبيه‌سازي‌هاي مختلفي از قبيل تغيير ولتاژ تغذيه، تغيير بار خازني، تغيير دماي محيط و تغييرات ناشي از فرآيند، ولتاژ تغذيه و دما (PVT) در فناوري 45 نانومتر CMOS مورد ارزيابي قرار گرفتند. منحني مصونيت در برابر نويز (NIC) براي سلول‌هاي تمام جمع كننده استخراج شد تا سلول‌هاي تمام جمع كننده با عملكرد بهتر مشخص شوند. بهره نويز واحد (UNG)‌ نيز براي ارزيابي نويز بررسي شد. در نهايت مقايسه‌اي جامع از لحاظ تأخير انتشار، توان مصرفي، حاصل‌ضرب توان-تأخير (PDP)، سوئينگ، حساسيت در برابر تغييرات فرآيند و نويز براي تمام جمع كننده‌هاي مبتني بر روش GDI انجام شد. نتايج به‌دست‌آمده مي‌تواند در تصميم‌گيري طراحان مدار مجتمع براي انتخاب ساختار مناسب تمام جمع كننده مبتني بر روش GDI مفيد واقع شود.