سوئيچ‌هاي الكترواپتيكي بر پايۀ جابه‌جايي گوس هانچن در يك برۀ كايرال ساختاري شبه همسانگرد آلائيده شده با نانوذرات فلزي

در اين مقاله، كنترل الكتريكي جابه‌جايي‌ جانبي پرتوهاي بازتابي از يك بره نانوكامپوزيت كايرال‌ساختاري شبه همسانگرد به صورت نظري بررسي شده‌است. اين محيط از يك مادۀ كايرال‌ساختاري شبه همسانگرد كه در آن نانو ذرات نقره به طور تصادفي در محيط كايرال پراكنده شده‌اند، ساخته شده‌است. نتايج نشان مي‌دهد كه در غياب ميدان الكتريكي با بسامد پايين، ساختار هيچ گاف باند فوتوني ندارد  و جابه‌جايي جانبي نور بازتابيده از اين ساختار بسيار ناچيز است. با اعمال ميدان الكتريكي با بسامد پايين يك گاف باند فوتوني در طيف عبور ساختار ظاهر مي‌شود كه تنها از انتشار امواج قطبيدۀ دايروي راستگرد جلوگيري مي‌كند. در لبه‌هاي اين گاف باند، جابه‌جايي‌هاي جانبي مثبت و منفي بزرگي مشاهده مي‌شود. در اين مقاله از خواص فوق الذكر براي طراحي سوييچ‌هاي الكترواپتيكي استفاده شده است.  همچنين نشان داده شده ‌است كه اين جابه‌جايي‌هاي جانبي با تغيير زاويۀ تابش نور، كسر پرشوندگي نانوذرات فلزي و ضخامت بره قابل كنترل است.