بررسي تغييرات نوار انرژي الكترون‌هاي مغزي براي شناسايي عيوب شبكه نانوالكتروسراميك BaTiO3 آلاييده شده با غلظت‌هاي مختلف عنصر Nb

در اين پژوهش، عيوب شبكه بلوري نانوالكتروسراميك BaTiO3 آلاييده شده، با مقادير متفاوتي از عنصر پنج ظرفيتي Nb با طيف سنج پوزيتروني بررسي گرديد. كاهش طيف پس‌زمينه ناشي از يك سامانه تشخيص همزماني در طيف‌سنجي پهن شدگي داپلري امكان بررسي سهم الكترون‌هاي مغزي با تكانه بالا را در فرايند نابودي پوزيترون در ساختار BT(1-x)O:Nbx (x=0, 0.03, 0.05, 0.07) را فراهم مي آورد. نتايج نشان مي دهد كه نخست با افزايش ورود ناخالصي تا 05/0 درصد مولي، بدليل جانشيني Nb با Ti از شدت نقص ها به ويژه نقص حجم باز كاسته شده و با افزايش بيشتر غلظت ناخالصي بر مقدار نقص تهيجا افزوده مي شود.