بررسي خواص الاستيك، مكانيكي، الكتروني، مغناطيسي و اپتيكي تركيب نيم هويسلر NbBiCs به روش نظريه تابعي چگالي

با استفاده از نظريه تابعي چگالي پيش‌بيني شد كه آلياژ نيم هويسلر NbBiCs  مي‌تواند كانديداي بالقوه‌اي براي به ‌كار رفتن وسايل در وسايل اسپينترونيك و اپتوالكترونيك باشد. با استفاده از محاسبات اصول اوليه بر پايه نظريه تابعي چگالي (DFT) با تقريب‌ گراديان شبه تعميم يافته (GGA)، خواص الاستيك، مكانيكي، الكتروني، مغناطيسي و اپتيكي تركيب نيم هويسلر NbBiCs در حالت انبوهه مطالعه شد. قطبش اسپيني در سطح فرمي براي تركيب نيم هويسلر NbBiCs، اعداد 97.6% و 100% به ترتيب با استفاده تقريب‌هاي GGA و GGA+mBJ به‌دست آمده است. بخش حقيقي تابع دي الكتريك براي تركيب NbBiCs در فاز  براي انرژي‌هاي بيشتر از 20 eV به عدد يك همگرا شده‌اند كه نشان مي‌دهد آن به عنوان يك عايق ايزوتروپيك رفتار مي‌كند و همچنين ضريب شكست براي انرژي‌هاي بيشتر از eV 7.5 كمتر از عدد يك شده است كه اين معرف پديده فوق‌العاده درخشان است.