شبكه مغناطيسي دائمي سه لايه اي براي اتم هاي فراسرد

ما يك شبكه مغناطيسي دائمي سه‌ لايه‌‌‌اي را براي اتم‌هاي فرا‌سرد معرفي مي‌كنيم كه توسط دو آرايه دو بعدي از بره‌هاي مربعي مغناطيسي به همراه يك ميدان مغناطيسي يكنواخت خارجي ايجاد مي‌شود. سه آرايه دو‌ بعدي مجزا از ميكروتله‌هاي مغناطيسي، در بالاي لايه‌ي بالايي بره‌هاي مغناطيسي، زير لايه‌ي پاييني و بين آنها توليد مي‌شود. ما عباراتي تحليلي براي تعيين مكان كمينه‌هاي ميدان مغناطيسي غير صفر و همينطور براي مشخص كردن مقادير فيزيكي ديگري، مانند اندازه ميدان مغناطيسي (B)، خميدگي‌ها و بسامدهاي تله در هر كمينه ارائه مي‌كنيم. عبارت‌هاي تحليلي براي B با نتايج عددي هم-خواني خوبي دارند. بنابراين، تمام عبارت‌هاي تحليلي به دست‌آمده از آن‌ها قابل اعتماد هستند. برخي از كميت‌هاي فيزيكي مرتبط را مي‌توان با استفاده از ميدان مغناطيسي يكنواخت كنترل كرد. همچنين، بسامدهاي تله بين لايه‌هاي مغناطيسي در يك شبكه سه‌ لايه‌اي، در مقايسه با بسامدهاي ايجاد شده توسط يك لايه از آهنربا‌ها در يك شبكه دو لايه‌اي بالاتر هستند. بنابراين، از دست دادن اتم‌ها كاهش مي‌يابد و محدود‌سازي بهتري براي آن‌ها فراهم مي‌شود.