اثر تهي جاي اتمهاي P به صورت غير نقطه اي و غير فعال كردن ساختار فسفرين با اتم هاي H روي خواص الكترونيكي و مغناطيسي آن

در اين مطالعه، خواص الكترونيكي و مغناطيسي فسفرين تك لايه به كمك نظريه تابعي چگالي اسپيني مورد بررسي قرار گرفت. فسفرين تك لايه يك نيمه رساناي ذاتي نوع p است كه خاصيت مغناطيسي ندارد. فسفرين كاربردهاي بسياري در ادوات الكترونيكي مانند ترانزيستورها و يا باطري هاي يوني دارد. اما فسفرين اوليه به دليل نداشتن خاصيت مغناطيسي، داراي كاربردهاي محدود در ادوات اسپينترونيكي است. با اعمال نقص غيرنقطه اي تهي جاي اتمها به صورت 6 تايي، نمونه خاصيت مغناطيسي پيدا مي كند و اين مساله مرتفع مي گردد. براي اين منظور، ما از يك سلول بزرگ 64 اتمي استفاده مي كنيم. بعلاوه با اعمال نقص، گاف انرژي ساختار از 1.50eV به 0.33eV كاهش پيدا مي كند و ساختار به نيمه رساناي نوع n تبديل مي گردد. با غير فعال كردن پيوندهاي آزاد نمونه داراي نقص با اتمهاي H، گاف انرژي افزايش مي يابد و به مقدار 1.73eV مي رسد. نوع نيمه رساناي اين نمونه، به نوع p بازمي گردد. با مهندسي ساختار مي توان نمونه با گاف انرژي و خاصيت مغناطيسي دلخواه را طراحي و در آزمايشگاه جهت كاربرد مورد نظر ساخت.