عنوان مقاله :
تحليل و طراحي در مدلسازي دو بعدي ترانزيستور تونلي شاتكي با دي الكتريك TiO2
پديد آورندگان :
سروي ، پريسا دانشگاه پيام نور مركز تهران شمال - دانشكده مهندسي برق و الكترونيك , امين زاده ، حامد دانشگاه پيام نور مركز تهران شمال - دانشكده مهندسي برق و الكترونيك , جوادي مقدم ، جواد دانشگاه پيام نور مركز تهران شمال - دانشكده مهندسي برق و الكترونيك
كليدواژه :
ترانزيستور , تونل , جريان , دي الكتريك , سيلواكو
چكيده فارسي :
در اين مقاله طراحي و تحليل و مدل سازي ترانزيستور تونلي شاتكي با استفاده از TiO۲ براي دي الكتريك گيت انجام شده است. وجود يك تونلينگ شاتكي در رابط كانال سورس و جريان درين به دليل تونل سازي پيشرفته از يك باند شارژ به باند ديگر در ناحيه رابط تقاطع ها باعث بهبود قابل توجه ترانزيستور ميشود. با اين كار هدايت و در نتيجه ميزان تونل زني افزايش ميابد.در نهايت باعث افزايش كارايي ترانزيستور ميشود. مدل مورد استفاده در طراحي ترانزيستور بر مبناي پتانسيل سطح در امتداد كانال با استفاده از معادله پواسون دو بعدي با شرايط مرزي مناسب طراحي كوتاهترين فاصله بين سورس / كانال و جريان سورس درين استوار مي باشد. با توجه به افزايش ميزان تونل زني، كه اين امر موجب كاهش جريان ميشود، ترانزيستور پيشنهادي مدلي براي مكمل هاي فلزي اكسيدهاي نيمه هادي و (CMOS) است كه شبيه ساز اين مدل را با سيلواكو انجام داديم.
