كاهش ارتفاع آنتن دوقطبي مغناطيسي الكتريكي با قطبش دايروي و خطي با استفاده از رساناي مغناطيسي مصنوعي

در اين مقاله راه حلي براي كاهش ارتفاع آنتن هاي دوقطبي مغناطيسي الكتريكي با استفاده از ساختار هادي مغناطيسي مصنوعي به عنوان صفحه زمين آنتن ارائه شده است. در اين تحقيق دو نوع آنتن مورد بررسي قرار گرفت: آنتن اول با قطبش خطي و آنتن دوم با قطبش دايروي راستگرد است. در آنتن با قطبش خطي، يك آرايه 7×7 از سلول‌هاي رساناي مغناطيسي مصنوعي (AMCs) در فركانس 3.5 گيگاهرتز طراحي شد و روي صفحه زمين آنتن قرار گرفت. با افزودن هادي مغناطيسي مصنوعي، ارتفاع آنتن اول به  λ0.16 كاهش يافت. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد كه پهناي باند امپدانس براي مقادير |S11| [-10dB] برابر با 1.9 گيگاهرتز از فركانس 2.3 گيگاهرتز تا 4.2 گيگاهرتز (58.46 درصد) است، در حالي كه پهناي باند امپدانس اندازه گيري شده نمونه ساخته شده برابر با 2.13 گيگاهرتز از فركانس 2.21 گيگاهرتز تا 4.34 گيگاهرتز (65.03 درصد) است.آنتن دوم يك آنتن دوقطبي مغناطيسي الكتريكي با قطبش دايروي راستگرد است كه توسط يك خط تغذيه Y شكل تغذيه مي شود. با استفاده از يك آرايه 5×5 AMC در صفحه زمين آنتن، ارتفاع آن به λ 0.13 كاهش يافت. پهناي باند امپدانس حاصل از شبيه سازي براي مقادير |S11| [-10dB] برابر است با 1.24 گيگاهرتز از فركانس 2.46 گيگاهرتز تا فركانس 3.7 گيگاهرتز (40.25%)، در حالي كه پهناي باند حاصل از اندازه گيري نمونه ساخته شده برابر با 1.3 گيگاهرتز از فركانس 2.38 گيگاهرتز تا فركانس 3.68 گيگاهرتز (44.52%) مي باشد.