بررسي عددي ميزان و كيفيت لايه نشاني سيليكون كربايد در يك رآكتور استوانه اي داغ با منبع پليمري

Numerical Study of SiC Deposition Rate and its Quality in a Tubular Hot Reactor Using Polymeric Source

در اين تحقيق فرآيند توليد سيليـكون كربايـد، در رآكتور استوانه اي و از طريق لايه نشاني شيميـايي بـخار پليمر آن هم در فشار اتمسفري شبيه-سازي گرديده است. مدل ارايه شده، به صورت سه بعدي بوده و بررسي عددي آن به روش حجم محدود انجام شده است. تاثير عواملي چون محل قرارگرفتن زيرلايه در رآكتور، غلظت ماده ي پليمري و نيز دماي زيرلايه بر ضخامت، كيفيت و يكنواخت بودن لايه ي حاصله مورد بررسي قرار گرفت. نتايج به دست آمده نشان دهند كه با نزديك كردن زيرلايه به ورودي رآكتور، ميزان رشد لايه افزايش يافته در عين حال، يكنواختي لايه ي نشانده شده تا حدودي كاهش مي يابد. افزايش غلظت ماده ي پليمري موجب افزايش شدت لايه نشاني شيميايي بخار مي شود، اين در حالي است، افزايش دماي زيرلايه موجب كاهش شدت لايه نشاني شيميايي بخار را به دنبال دارد.

Silicon Carbide thin film deposition in a tubular hot reactor, using a polymeric source at atmospheric pressure has been studied numerically. A three dimensional model was considered based on the finite volume method. The effects of substrate position, concentration of the polymeric source and the substrate temperature on the deposition rate and on the quality of the deposited layer were investigated. It is shown that the deposition rate increased by decreasing the substrate distance, however the uniformity of deposited layer decreased. The rate of deposition increases with the polymeric source concentration while it decreases with the substrate temperature