فناوري نوين اكسيدگيت با ضخامت نامتقارن براي كاهش جريان نشتي درين القاء شده از گيت در افزاره سيليكان بر روي عايق در ابعاد نانو

پديد آورندگان

آهنگري، زهرا نويسنده دانشگاه آزاد اسلامي شهر ري, , , مقدسي، محمدناصر نويسنده ,

رتبه نشريه

تعداد صفحه

از صفحه

تا صفحه

كليدواژه

ترانزيستور SOI MOSFET , تونل زني باند به باند , DRAM , جريان نشتي درين القاء شده از گيت GIDL , BTBT , حافظه هايي با دسترسي تصادفي پويا

كلمات كليدي

#تست#آزمون###امتحان

لينک به اين مدرک