رابطه جديد محاسبه مقاومت بدنه درترانزيستورهاي MOSFET PD SOI در مقياس نانومتر

A New Nonlinear Model of Body Resistance in Nanometer PD SOI MOSFETs

در اين مقاله يك مدل جديد غيرخطي براي بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزيستورهاي PD SOI در مقياس 45 نانومتر ارايه مي‌گردد. اين مدل بر پايه شبيه‌سازي‌هاي سه بعدي سيگنال كوچك ارزيابي مي‌شود. در اين مقاله فاكتورهاي مشخص‌كننده مقاومت بدنه در ترانزيستورهاي نانومتر، با استفاده از قابليت شبيه‌سازي سه بعدي نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده مي‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسيل سطح، رابطه‌اي رياضي براي محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغييرهاي پتانسيل بدنه و عرض افزاره، بيان مي‌گردد. در نهايت نتايج شبيه‌سازي سه بعدي نرم‌افزاري و رابطه رياضي به دست آمده با آخرين نتايج به دست آمده مورد مقايسه قرار مي‌گيرد. مقايسه نتايج، بهبود رابطه رياضي ارايه شده را نشان مي‌دهد.

In this paper, a nonlinear model for the body resistance of a 45nm PD SOI MOSFET is developed. This model verified on the base of the small signal three-dimensional simulation results. In this paper by using the three-dimensional simulation of ISE-TCAD software, the indicating factors of body resistance in nanometer transistors and then are shown, using the surface potential model. A mathematical relation to calculat the body resistance incorporating device width and body potential was derived. Excellent agreement was obtained by comparing the model outputs and three-dimensional simulation results.