رشد و بررسي ترموديناميكي تك بلورهاي Se0.5ZnS0.5 به روش انتقال شيميايي بخار

Growth and Thermodynamical Studies of ZnSxSe1-x Single Crystals by Chemical Vapour Transport Technique

در اين كار پژوهشي از يك مدل ترموديناميكي براي رشد تك بلورهاي به روش و با استفاده از يد به عنوان عامل انتقال استفاده مي شود. شرايط بهينه ي رشد در سيستم ، بر اساس فشار جزيي مولفه هاي نظري مختلف پيش بيني مي شود. آزمايش هاي مختلفي براي رشد تك بلور ، با استفاده از يد به عنوان عامل انتقال، در درون لوله ي بسته در شرايط مختلف انجام پذيرفت. نتايج آزمايش ها نشان دادند كه تك بلورهايي كه در شرايط بهينه ي پيش بيني شده رشد يافته اند، در مقايسه با بلورهايي كه در شرايط ديگر رشد كرده اند از كيفيت بهتري برخوردارند.

In this research, a thermodynamic model used to describe the growth of single crystals by chemical vapor transport technique with iodine as the transporting agent. The optimum growth condition in the system has been predicted theoretically based on partial of different components. Some experiments were carried out for growing crystals by the chemical vapor transport method using iodine as a transporting agent in the closed ampoule under various conditions. The experimental results showed that the single crystals, which have been grown with growth parameters close to the theoretically predicted optimum growth conditions, have better quality in comparison with crystals grown under other conditions.