طراحي يك مدار XOR-XNOR كم مصرف مقاوم در برابر نويز

Design of a New Low Power XOR-XNOR Circuit with Improved Noise Immunity

با توجه به نقش اصلي گيت هاي XNOR-XOR و با توجه به اين كه مدارهاي بلوك هاي ساختاري، پايه مدارهاي محاسباتي بسياري، از جمله ضرب كننده ها، تمام جمع كننده ها، مقايسه گرها و ديگر مدارها هستند، روش هاي جديد براي اين مدارها به منظور بهبود دادن سرعت و توان پيشنهاد شده است. با كاهش مقياس به فناوري زيرميكرون (Deep Submicron) امنيت نويز يك پارامتر هم اهميت با توان، سرعت و فضا شده است. در اين مقاله عملكرد مدارات XOR-XNOR گوناگوني مقايسه شده و يك گيت XOR-XNOR توان پايين و مقاوم در برابر نويز با 10 ترانزيستور طراحي و ارايه شده است. در پدافند غيرعامل مقاومت در برابر اختلال هاي الكترومغناطيسي كه به صورت نويز در مدارهاي الكترونيكي ظاهر مي شود، بسيار حايز اهميت است. بنابراين افزايش مقاومت در برابر نويز به محافظت مدارها در مقابله با اختلال هاي الكترومغناطيسي كمك خواهد كرد. نتيجه هاي شبيه سازي در فناوري (µm) 18/0 در نرم افزار HSPICE و در تمام رنج ولتاژهاي تغذيه از (V) 6/0 تا (V) 3/3 نشان مي دهد كه مدار پيشنهادي توان مصرفي پايين تر، PDP بهتر و مصونيت نويز مناسبي نسبت به آخرين مدارهاي XOR-XNOR گزارش شده را داراست.

Abstract Due to the main role of XOR-XNOR gates as the building blocks of many basic arithmetic circuits such as multiplexers, full adders, compressors etc, new methods of improving the speed and power consumption performance has been reported. As the dimensions have been reduced to deep submicron scale, noise immunity has also become an important parameter along with speed, power consumption and size. Herein, the functional properties of a number of these XOR-XNOR gates are compared and a new low power XOR-XNOR gates with improved noise immunity XOR-XNOR gates using 10 transistors is proposed. In passive defense issues, the immunity to electromagnetic disturbances is of paramount importance. Therefore increasing the circuits’ immunity to noise will help the circuits’ function properly against electromagnetic disturbances. The simulation results with 0.18(µm) technology in an Hspice software for all supply ranges from 0.6(V) to 3.3(V) has shown that the new proposed circuit has lower power consumption, an improved PDP with better noise immunity compared to the previous reported circuits. Keywords: XOR-XNOR Gates, PDP, Noise Immunity.