محاسبه ي گراديان هاي ميدان الكتريكي در تركيبات X=Bi, Sb))UX2

Electric Field Gradients (EFGs) Calculations in UX2(X=Bi, Sb) Compounds

در اين مقاله خواص الكتروني تركيبات پاد فرومغناطيس X=Bi, Sb))UX2 را با محاسبات ابتدا به ساكن بر پايه ي نظريه‌ي تابعي چگالي با استفاده از روش امواج تخت بهبود يافته به علاوه‌ي اربيتال هاي موضعي APW+lo)) بررسي كرده ايم. براي محاسبه‌ي جمله پتانسيل تبادلي- همبستگي از تقريب هاي LDA، GGA، LDA+U، GGA+U و هم‌چنين روش انرژي تبادلي دقيق الكترون هاي همبسته (EECE) استفاده كرده ايم. گراديان هاي ميدان الكتريكي (EFG) براي تركيبات UX2 در مكان هسته ي اورانيم محاسبه و با مقدار تجربي مقايسه شده اند. گراديان‌هاي ميدان الكتريكي براي بلور UBi2 كوچك‌تر از گراديان‌هاي ميدان الكتريكي USb2 است كه علت اصلي آن ساختار مغناطيسي متفاوت اين دو بلور مي باشد. مقادير به دست آمده براي گراديان‌هاي ميدان الكتريكي در بلور UBi2 با استفاده از روش EECE نسبت به روش هاي ديگر همخواني بهتري با مقادير تجربي دارند.

In this paper, electronic properties of anti-ferromagnetic UX2(X=Bi, Sb) compounds were investigated by ab initio calculations based on the density functional theory (DFT), using the augmented plane waves plus the local orbitals (APW+lo) method. To calculate the exchange-correlation function, we used the LDA, GGA, LDA+U and GGA+U schemes as well as the exact exchange for the correlated electrons (EECE) scheme. The electric field gradients (EFGs) for UX2 compound at the site of uranium atom was calculated and compared with the experimental values. The EFGs for UBi2 crystal was smaller than that of USb2 crystal due to the difference between their magnetic structures. The EFGs for UBi2 were found to be in better agreement with the experiment within the EECE method than the other used methods.