معرفي يك ترانزيستور دوقطبي جديد بر اساس وارونگي سطحي

Introducing Bipolar Junction Transistor Based on Concept of Surface Inversion

در اين مقاله يك ساختار جديد ترانزيستور دو قطبي بر اساس وارونگي سطحي ارايه مي شود. در اين ساختار پيوند كلكتور-بيس يك پيوند متداول p-n است، اما ناخالصي اميتر حذف شده است. به عبارت ديگر ترانزيستور فقط با استفاده از دو ناحيه n و p طراحي شده است. با اتصال فلز با تابع كار مناسب به نيمه هادي نوع p، ناحيه n+ اميتر توسط وارونگي سطحي در داخل ناحيه بيس تشكيل مي شود. شبيه سازي نشان مي دهد ترانزيستور ارايه شده بهره جريان قابل توجه و فركانس قطع بسيار بالايي دارد.

In this paper, we report a new structure for bipolar junction transistors based on concept of surface inversion. This structure is made up of only one PN junction and a metal with appropriate work function connected to the p region which results in an inversion of electrons in the semiconductor near the metal-semiconductor interface, this inversion layer plays the role of emitter n+ region. Simulations show that the proposed transistor has a very high current gain and cutoff frequency.