بررسي گاف انرژي، ضريب شكست و قطبش الكتروني نيمه هادي‌هاي chalcopyrite سه گانه

A study of energy gap, refractive index and electronic polarizability of ternary chalcopyrite semiconductors

رابطه ساده بين الكترونگاتيويتی اپتيكی، گاف انرژی، ضريب شكست و قطبش الكترونی برای نيمه هادی chalcopyrite سه گانه ارايه شده است. گاف انرژی از الكترونگاتيويتی اپتيكی برآورد شده و مقادير ضريب شكست و قطبش الكترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن يك رابطه خطی بين آنها برآورد شده است. مقادير محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتايج تجربی وپژوهش‌های پيشين است. بررسی حاضر نشان دهنده اهميت رابطه بين اين پارامترها می‌باشد

A simple relation between the optical electronegativity, energy gap, refractive index and electronic polarizability is given for ternary chalcopyrite semiconductors. Energy gap has been evaluated from the optical electronegativity whereas refractive index and electronic polarizability values have been evaluated from the energy gap by proposing a linear relation between them. The calculated values are in fair agreement with the experimental values and earlier researchers. This work highlights the significance of interrelation between these parameters.