رفتار انبساط حرارتي كامپوزيت‌هاي Al-4%Cu/SiC ساخته شده به روش متالورژي پودر

در پروژه حاضر، رفتار انبساط حرارتی كامپوزیت های زمینه آلومینیومی تقویت شده با ذرات SiC تا دمای 500 درجه سانتی‌گراد مورد بررسی قرار گرفت. برای این منظور از تجهیزات آنالیز حرارتی استفاده شد. هدف اصلی توضیح حالت رفتار انبساط حرارتی كامپوزیت‌های زمینه آلومینیومی تقویت شده با درصدهای مختلف SiC و نیز تأثیر اندازه‌ی ذرات تقویت‌كننده بر رفتار حرارتی است. كه به عنوان مواد پایه در صنایع الكترونیكی مورد استفاده قرار می‌گیرند. كامپوزیت‌های با درصد مختلف تقویت‌كننده حاوی (10،15،20 و 25%) و با مش‌بندی‌های مختلف (100،45 و 150 میكرون) ذرات تقویت كننده‌ی SiC كه با آلیاژ زمینه‌ی Al-4%Cu و به روش ساخت متالورژی پودر مورد بررسی قرار گرفت. ضریب آنی انبساط حرارتی كه تابعی از دما است با پیش‌بینی‌هایی از مدل‌های ترموالاستیك بر اساس مدل شاپری و ترنر مورد قیاس قرار گرفت. رفتار انبساط حرارتی وابسته به عواملی گوناگون نظیر میكروساختار، تغییر شكل زمینه و شرایط تنش‌های داخلی است. وابستگی انحلال مس در آلومینیوم به دما روی ضریب انبساط حرارتی آلیاژ زمینه Al-4%Cu تأثیر قابل ملاحظه‌ای بر رفتار حرارتی كامپوزیت دارد. با توجه به نتایج آزمایشات با افزایش درصد ذرات سرامیكی كاربید سیلیسیم، مقدار ضریب انبساط حرارتی كامپوزیت‌ كاهش پیدا كرده است.

-