ارايه يك روش جديد در طراحي مرجع ولتاژ شكاف باند با استفاده از ترانزيستورهاي ماسفت درناحيه وارونگي قوي با نسبت رد منبع تغذيه بالا

Design of a High PSRR Bandgap Voltage Reference by Using MOSFETs in Stronge Inversion Region

در اين مقاله يك مرجع ولتاژ شكاف باند با ترانزيستورهاي ماسفت در ناحيه وارونگي قوي پيشنهاد شده است. مدار پيشنهادي نسبت رد منبع تغذيه بالا و حساسيت دمايي پاييني دارد و مي تواند با ولتاژ تغذيه كمتر از 1 ولت نيز كار كند. در اين طراحي نسبت ردمنبع تغذيه به وسيله حلقه فيدبك و ولتاژ تنظيم شده،‏ بهبود يافته است. اين مدار درتكنولوژي mµ 18‎/0 سي ماس طراحي و در نرم افزار HSPICE شبيه سازي شده است. ولتاژ خروجي اين مدار 7‎/466 ميلي ولت و ضريب دمايي ولتاژ خروجي در بازه دمايي 20- الي 100 درجه سانتي گراد ppm?(°c)‎ 1‎/29 است. نسبت رد منبع تغذيه در فركانس هاي پايين 109 دسي بل است. توان مصرفي اين مدار در دماي اتاق و به ازاي ولتاژ تغذيه 2‎/1ولت برابر با 42 ميكرووات است.

In this paper a bandgap voltage reference(BVR) with MOSFET transistors in strong inversion region is presented. The proposed circuit has high PSRR and low temperature sensitivity. In this design PSRR is enhanced by using a feedback loop and a regulated voltage for the core of BVR. The proposed bandgap voltage reference, simulated in a 0.18µm CMOS technology, exhibits the output voltage and temperature coefficient in the temperature range of -20 to 100 °c equal to 466.7 mV and 29.1ppm?(°c), respectively. The PSRR at lower frequencies is 109 dB. This circuit dissipates 42 ?W from 1.2 supply voltage at room temperature.