عنوان مقاله :
بررسي ريزساختار و خواص كامپوزيت C/C-SiC دوبعدي ساخته شده با روش نوين تلقيح پليمر و پيروليز (PIP)
پديد آورندگان :
قراخاني بني، مصطفي نويسنده كارشناس ارشد، مهندسي مواد، دانشگاه صنعتي مالك اشتر، تهران -, - , احساني، ناصر نويسنده , , اسماعيلي، مجتبي نويسنده كارشناس ارشد، مهندسي مواد، دانشگاه صنعتي شريف، تهران -, - , صفايي نائيني، يوسف نويسنده كارشناس ارشد، مهندسي مواد، دانشگاه علم و صنعت ايران، تهران -, -
اطلاعات موجودي :
فصلنامه سال 1394 شماره 33
كليدواژه :
روش تلقيح پليمر و پيروليز (PIP) , پلي كربوسيلان , سازه‌هاي دما بالا , كامپوزيت C/C-SiC
چكيده فارسي :
كامپوزیت C/SiC به عنوان یكی از مواد كامپوزیتی زمینه سرامیكی تقویت شده با الیاف كربن به دلیل دانسیته كم گزینه مناسبی برای سازه های دما بالا مورد استفاده در صنایع هوافضا می باشد. به عنوان مثال نازل ماهوارهها از این كامپوزیت و با فرآیند تلقیح پلیمر و پیرولیز (PIP) ساخته میشود. در پژوهش حاضر فعالیت‌های انجام شده در رابطه با ساخت كامپوزیت زمینه‌ی سیلیكون كارباید تقویت شده با پریفرم دو بعدی كربن (C/C-SiC) ارائه شده است. سیكلهای متوالی تلقیح پلیمر پلی كربوسیلان (PCS) و پیرولیز برای رسیدن به دانسیته مناسب كامپوزیت انجام شده است. ریز ساختار، دانسیته، استحكام خمشی و تخلخل باز این كامپوزیت مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان دهنده‌ی استحكام خمشی بالا (MPa 56) و دانسیته پایین (g/cm3 81/1) این كامپوزیت است كه دستیابی به تكنولوژی تولید این كامپوزیت ها را با روش PIP اثبات میكند.
عنوان نشريه :
فرآيندهاي نوين در مهندسي مواد
عنوان نشريه :
فرآيندهاي نوين در مهندسي مواد
اطلاعات موجودي :
فصلنامه با شماره پیاپی 33 سال 1394
كلمات كليدي :
#تست#آزمون###امتحان
