بررسي و تحليل رفتاري لايه برداري سطحي ناهمسان‌گرد سيليكون در محلول TMAH

 این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان­گرد سیلیكون (100) در هیدروكسید آمونیم­ تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حكاكی در محلول TMAH با غلظت­های مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oC 70، oC 80 و oC90 انجام شد. نتایج نشان می­دهد كه نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش می­یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظت­های بیشتر از 10% كاهش می­یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با µm/h62 در غلظت­10% و دمای oC 90 است. تصاویر SEM نشان می­دهد كه در سطح سیلیكون برآمدگی­های شبیه به تپه­های هرمی شكل كوچك ظاهر می­شود كه تعداد، شكل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیكون كاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری ­با افزایش غلظت TMAH كاهش می­یابد و سطح سیلیكون حكاكی شده در TMAH  با غلظت­های بالا، صاف­تر می­باشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه <100> نسبت به صفحه <111> برای TMAH با غلظت­10% به دست آمده است كه مقدار آن 6/10 است. زدایش سیلیكون با TMAH در این غلظت كمترین زیربریدگی را دارد.

-