رسانش الكتروني يك نانوسيم شامل اتم‌هاي مرتعش سطحي

The electronic conductance of a nanowire including vibrating surface atoms

در اين مقاله با استفاده از روش تابع گرين در رهيافت تنگ‌بست و رژيم پاسخ خطي، به مطالعه رسانش الكتريكي يك نانوسيم شامل اتم‌هاي سطحي مرتعش كه بين دو هادي صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته‌ايم. با بهره‌گيري از فضاي فوك، اثر برهم‌كنش الكترون-فونون را در ضريب عبور الكتروني مورد بررسي قرار داده‌ايم. نتايج نشان مي‌دهد كه مكان قله‌هاي تشديدي رسانش با افزايش قدرت برهم‌كنش الكترون-فونون به‌سمت انرژي‌هاي پايين‌تر جابه‌جا شده و قله‌هاي جديدي نيز در طيف رسانش پديدار مي‌شود. همچنين براي يك مقدار ثابت قدرت برهم‌كنش، با كاهش مقدار انرژي پرش الكترون در اتصال‌ها، قله‌هاي تشديدي تيزتر و دره‌ها عميق‌تر مي‌شوند.

In this paper, we study the electronic conductance of a nanowire, including vibrating surface atoms, which is embedded between two simple rigid chains by using Green’s function technique at the tight-binding and linear response approaches. We use the Fock space to consider the effect of electron-phonon interaction on the electronic transmission coefficient. The results show that by increasing of the strength of electron-phonon interaction, the positions of resonance peaks of the conductance curve will be shifted to the lower energies. Some new peaks will be appeared in the conductance spectrum, too. It can be seen that at a fixed amount of the electron-phonon coupling strength, by decreasing of the electron hopping energies of contacts, the resonance peaks become sharper and the valleys become deeper.