بررسي انتشار امواج تراهرتز در MoS2 در مرز بين دو دي‌الكتريك

Investigation of THz waves propagation in MoS2 monolayer between two dielectric media

امروزه خواص اپتيكي منحصر به‌فرد تك لايه MoS2 به‌عنوان نيمه‌هادي دو بعدي مورد توجه قرار گرفته است. در اين مقاله از ضرايب فرنل براي تعيين خواص اپتيكي مانند جذب، بازتاب و عبور لايه MoS2 در بازه تراهرتز استفاده شده است. ساختار كلي شامل دو محيط نيمه بي‌نهايت SiO2 و هوا است كه تك لايه MoS2 در بين آنها قرار دارد. ما دريافتيم كه بيشينه جذب برابر با مقدار اندك 6-10×5/2 است كه در بازتاب داخلي، براي قطبش TE و در زاويه حد رخ مي‌دهد. اين ميزان جذب كم، نشان‌دهنده كاربردي بودن چنين لايه‌اي در ساخت ابزار نوري به‌ويژه الكترود شفاف و ديگر قطعات الكترونيكي است.

Today, exclusive optical properties of monolayer MoS2 as a two-dimensional semiconductor have found a rapid attention. In this paper, Fresnel equations are used to determine optical properties, i.e. absorbance, reflectance and transmittance of MoS2 layer in the THz range. The whole structure includes two semi-infinite SiO2 and air with monolayer MoS2 in between. We found that the maximum absorption to be as low as 2.5×10-6 which appears in internal reflection for TE mode closed to the critical angle. This low amount of absorption suggests application of such a layer in optoelectronics devices especially in transparent electrodes and other electronics elements.