ايجاد پوشش شفاف و ضد الكتريسيته ساكن روي زيرلايه پلي(متيل متاكريلات)

در اين تحقيق به وسيله دستگاه پوشش دهي چرخشي روي زيرلايه پلي (متيل متاكريلات)، پليمر رساناي پلي (3،4- اتيلن دي اكسي تيوفن) از مونومر 4،3- اتيلن دي اكسي تيوفن به روش پليمري شدن درجا، سنتز شد. در ادامه اثر پارامترهاي دماي پخت، زمان پخت و سرعت پوشش دهي، بر ويژگي هاي ساختاري، نوري، الكتريكي و مكانيكي اين پوشش موردبررسي قرار گرفت. براي اين منظور از طيف سنجي تبديل فوريه-مادون قرمز (FT-IR)، طيف سنجي ماوراءبنفش-مرئي (UV-Vis)، اندازه گيري مقاومت الكتريكي و آزمون تپ استفاده شد. نتايج نشان داد كه يك سطح با مقاومت الكتريكي 38/61 كيلو اهم، با شفافيت خوب و چسبندگي مطلوب براي كاربردهاي ضد الكتريسيته ساكن به دست آمده است. همچنين اين داده ها نشان مي دهد مقاومت اين پوشش هاي پليمري از مقاومت 108 اهم كمتر است. از آنجا كه كاهش مقاومت الكتريكي پليمر تا 108 اهم و كمتر از اين مقدار مي تواند تجمع الكتريسيته ساكن در سطح پليمر را كاهش دهد، بنابراين پوشش پليمري ايجاد شده روي زير لايه پلي(متيل متاكريلات)، توانايي كاهش تجمع الكتريسيته ساكن را دارد.