مطالعه خواص اپتيكي تركيبات چهارتايي AlInGaN

The Study of Optical properties of AlInGaN Guatemary Compounds

در اين مقاله خواص اپتيكي تركيب AlInGaN از جمله قسمت حقيقي و موهومي تابع دي‌الكتريك، رسانندگي اپتيكي، ضريب شكست، ضريب خاموشي و تابع اتلاف انرژي مورد بررسي و محاسبه قرار گرفته‌اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقويت‌شده خطي با پتانسيل كامل (FP-LAPW) در چارچوب نظريه تابعي چگالي و با استفاده از بسته محاسباتي WIEN2k صورت گرفته است. در نهايت نيز خواص اپتيكي اين تركيبات بررسي شد كه نتايج به‌دست‌آمده از ساختار الكتروني و نواري را تاييد كرد. همچنين متوجه شديم كه VBM اين آلياژها از GaN در گاف نوار ثابت بالاتر است؛ بنابراين انتظار مي‌رود اين آلياژها خيلي راحت‌تر به‌عنوان نيم‌رساناهاي نوع p آلاييده شوند.

In this article, optic properties of AlInGaN compounds such as real and imaginary part of dielectric function, optical conductivity, refractive index and extinction index have been investigated. Calculation have performed using Full Potential Linear Approximation Plane Wave method inDensity Functional Theory framework by WIEN2K package. Finally, the optical properties of these compounds were examined which confirmed the results of the electronic and band structures. We also noticed that the VBM of these alloys is higher than the GaN in the fixed band gap. So it is expected that these alloys are doped much easier than P-type semiconductors.